用CVD工艺在石墨表面制作SiC防氧化涂层

??SiC涂层可以以化学气相沉积( CVD ) ，先驱体转化 、等离子喷涂等方法制备，其中化学气相沉积法制备的涂层均匀致密，且具有良好的可设计性。以甲基三氯硅烷.( CHzSiCl3, MTS)为硅源，经过CVD方法制备SiC涂层是应用该涂层较为成熟的方法。（星宇佳科技www.1b006.com）

??SiC涂层和石墨具有很好的化学相容性，两者热膨胀系数差距较小，使用SiC涂层可以有效改善石墨材料的耐磨性和抗氧化性。其中，反应条件中的化学计量比、反应温度、稀释气体、杂质气体引入等条件对反应的影响程度较大。（星宇佳科技www.1b006.com）